Simulation de la croissance des couches épitaxiales par la méthode KMC
search
  • Simulation de la croissance des couches épitaxiales par la méthode KMC
  • Simulation de la croissance des couches épitaxiales par la méthode KMC

Simulation de la croissance des couches épitaxiales par la méthode KMC


55,90 €
53,10 € Économisez 5%

Matériaux pour Micro et Nanotechnologies

Il est mis en évidence les limites et faiblesse de la modélisation continue et la nécessité d’introduire la simulation à l’échelle atomique pour aider à mieux comprendre le mécanisme de formation des couches ultra minces aux premiers instants de croissance de l’heterostructure.

Différents mécanismes élémentaires et les énergies d’activation associées ont été introduits pour simuler les configurations choisies pour faire cette étude dans un système à grand nombre d’atomes.

La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide de la technique RHEED ou de la spectroscopie de photoémission synchrotron (XPS) et la microscopie à effet tunnel (STM) parmi d’autres.

Il a alors été montré que l’ajustement des paramètres physico-chimique, telles que le coefficient de transfert de charges (en O), la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultat obtenus, en particulier, la composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si(100), la structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium, la rugosité et la distribution de des défauts en surface et de contraintes à l’interface SiO2/Si.

Livraison dans le monde entier.
Frais d'envoi limités à 4,90 € pour la France métropolitaine quel que soit le nombre d'articles. Délai de livraison : 2 à 5 jours.

Quantité
Disponible

En achetant ce produit, vous collectez jusqu'à 5 points de fidélité. Votre panier totalisera 5 points à convertir lors d’un prochain achat en un bon de réduction de 2,50 €.


Mademoiselle Anissa Ali-Messaoud est Maître de Conférences A à l'université de Blida 1.

Les séjours scientifiques réalisés au LAAS-CNRS de Toulouse sur la modélisation et simulation, par la méthode KMC, de la croissance des couches minces,ont permis la réalisation de cette thèse de doctorat d'Etat en physique avec A.

Esteve et A.

Chikouche.


Fiche technique

Auteur
Anissa Ali-Messaoud
Langue
Français
Éditeur
Éditions universitaires européennes
Pays
Algérie Algérie

30 autres produits dans la même catégorie :

Voir tout

Voir tout