Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS

induites par des radiations ionisantes (rayons X)

Dans ce livre est définie la méthodologie d’extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l’interface Si/SiO2 d’un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d’interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ ;σ = σn.σ p [cm2].

Les pièges lents dans l’oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés.

L’étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l’aide d’un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire.

La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée.

Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l’irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.