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![Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano MOSFETs]( "Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano MOSFETs")
Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano MOSFETs
Le concept des technologies à base de matériaux organiques ont connus une innovation rapide dans l’industrie des semi-conducteurs.
L'avantage des matériaux organiques dans l'industrie de l’électronique est de créer des composants électroniques très puissants.
En outre, les dispositifs à base de graphène sont fabriqués pour remplacer les les dispositifs à base de silicium.
L'idée principale dans ce travail, est d'évaluer l'avantage des transistors à base de graphène.
De plus, nous étudions la stabilité thermique des nano-transistors.
Dans la première étape, nous étudions la capacité de notre modèle à prédire la conduction thermique dans nano transistors MOSFET de 10 nm de canal.
D'autre part, nous avons étudié le processus de conduction dans les transistors à base de graphène.
Le modèle balistique-diffusive (BDE), le modèle à double retard de phase (DPL) et un modèle électro-thermique ont été résolus numériquement pour évaluer le transport des phonons dans les nano transistors.
à propos du livre Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano MOSFETs
- Langue : Français
- Auteur : Faouzi Nasri
- Éditeur : Éditions universitaires européennes
- Année : 2018
- Pays
:
Tunisie
à propos de Faouzi Nasri
Faouzi Nasri a obtenu le doctorat en physique de la Faculté des sciences de Monastir, Monastir, Tunisie, en 2015.
La thèse de doctorat est consacrée à la simulation numérique du transfert de chaleur dans les nano transistors MOSFETs.
Il est actuellement professeur associé au Centre de recherche et de technologie de l'énergie de Borj-Cedria, en Tunisie.
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