Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N

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Application aux Diodes Electroluminescentes

Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique.

Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN.

Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue.

Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

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