Le silicium Poreux " Élaboration et Caractérisation"
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Le silicium Poreux " Élaboration et Caractérisation"


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Application optoélectronique et photovoltaïque.

Dans notre travail nous nous sommes intéressés à étudier le phénomène de transformation des couches de silicium monocristallin en silicium nanostructuré.

Plusieurs échantillons de silicium poreux ont été réalisés par anodisation électrochimique sur des substrats Si (100) de type P et Si (100) de type N, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que l'intensité de courant et la durée d'anodisation et la composition de l’électrolyte.

Pour mener à bien notre travail, Nous avons caractérisé les propriétés des couches élaborées par différentes méthodes de caractérisation morphologiques, structurelles et optoélectroniques : MEB, , photoluminescence (PL), Infra Rouge (FTIR), Ellipsométrie ES et mesure de Réflectance.

Les résultats d'analyses nous ont permis de mettre en évidence l'influence des paramètres d'anodisation et en particulier l'intensité de courant et la durée d'anodisation, Le calcul de la porosité des couches nanostructurées nous donne une variation de cette dernière allant de 45 à 80%.

Par un choix judicieux des paramètres expérimentaux il est possible de contrôler la taille des nanostructures et la porosité des échantillons élaborés.

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RAHMOUNI SALAH maître de conférences classe "A" , et chef de département à l'ENSET de Skikda.

Diplômé de l’ENSET  spécialité électronique, titulaire d'un magister puis d'un doctorat en électronique, option matériaux et composants de l'Université de Skikda, puis l’Habilitation universitaire (HDR) en génie électrique de l'Université de Guelma.


Fiche technique

Auteur
Salah Rahmouni
Langue
Français

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