Transistor DG MOSFET submicronique: Modélisation du transport quantique

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Le présent ouvrage a pour but l´étude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l’impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille.

Après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons l’intérêt de leur miniaturisation et les principaux effets issus de la réduction de ses dimensions.

Nous présentons également les architectures émergentes.

Aussi dans un premier temps, nous donnons la description du transport électronique par la mécanique classique, modèle de dérive-diffusion et dans un second temps, nous présentons le modèle de transport quantique, basé sur la résolution couplée des équations de Schrödinger et Poisson à deux dimensions.

Ce livre servira aux étudiants universitaires en sciences de l’ingénieur ou physique ainsi qu’aux chercheurs et aux enseignants chercheurs dans ces domaines.

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DJAMIL RECHEM Docteur en électronique de l’université de Constantine 1, Algérie.

Maitre de conférence à l’université de Oum El Bouaghi, Algérie, il a consacré ses travaux de recherche à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ nanométrique.

Il est auteur et co-auteur de plusieurs articles scientifiques.

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