Réalisation et étude de structure en couches minces
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à base de silicium en vue d’application photovoltaïque
Ce livre est consacré à l’étude de la cristallisation des couches minces de silicium amorphe induit par un métal : Nickel.
La diffusion du nickel dans les couches minces de silicium est recherchée de façon à conduire à la formation de siliciure de Ni qui a permis de cristalliser le silicium amorphe en couche mince qui a été déposée par la technique PECVD.Dans un premier temps nous avons présenté le silicium comme matière de base, le silicium poreux ainsi que les différentes méthodes de croissance des couches minces et leurs techniques de cristallisation.Dans un second temps nous avons présenté en détaille les conditions de préparation des échantillons :1.
Elaboration du silicium poreux par la méthode d’anodisation électrochimique.2.
Métallisation su silicium poreux par une solution de Nickel de concentration bien déterminer (Dip-coting).3.
Dépôt d’une couche de a-si : H par la technique PECVD.4.
La cristallisation des échantillons a été réalisée dans un four RTP.Dans la partie suivante de ce livre nous sommes intéressée à l’étude des couches minces de a-Si : H métallisé par Ni.
Mme Ben Slama Sonia est titulaire d'un diplôme de Docteur de l’Université de Tunis El Manar.
Fiche technique
- Auteur
- Ben Slama Sonia
- Langue
- Français
- Éditeur
- Éditions universitaires européennes
- Pays
Tunisie
à base de silicium en vue d’application photovoltaïque
Ce livre est consacré à l’étude de la cristallisation des couches minces de silicium amorphe induit par un métal : Nickel.
La diffusion du nickel dans les couches minces de silicium est recherchée de façon à conduire à la formation de siliciure de Ni qui a permis de cristalliser le silicium amorphe en couche mince qui a été déposée par la technique PECVD.Dans un premier temps nous avons présenté le silicium comme matière de base, le silicium poreux ainsi que les différentes méthodes de croissance des couches minces et leurs techniques de cristallisation.Dans un second temps nous avons présenté en détaille les conditions de préparation des échantillons :1.
Elaboration du silicium poreux par la méthode d’anodisation électrochimique.2.
Métallisation su silicium poreux par une solution de Nickel de concentration bien déterminer (Dip-coting).3.
Dépôt d’une couche de a-si : H par la technique PECVD.4.
La cristallisation des échantillons a été réalisée dans un four RTP.Dans la partie suivante de ce livre nous sommes intéressée à l’étude des couches minces de a-Si : H métallisé par Ni.