CO-INTEGRATION FILTRE A ONDES DE SURFACE AVEC UN AMPLIFICATEUR
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Co-intégration d'un Filtre à Ondes de Surface avec un Amplificateur d'entrée de faible bruit sur Si pour Téléphone Mobile
L'étude présentée dans cette thèse porte sur l'analyse d'un filtre en échelle co-intégré avec un amplificateur faible bruit (LNA) en technologie CMOS dans une gamme de fréquence autour de 945-MHz.
L'étude théorique du filtre a été réalisée en utilisant en premier lieu la méthode des modes couplés mais aussi en appliquant le circuit équivalent RLC du résonateur.
Le filtre a été développé sur une structure constituée d'un film de ZnO et d'électrodes en aluminium (Al) sur un substrat de silicium (Si) avec une métallisation en Ti.
Ce filtre se compose de six résonateurs sur le même port.
Les résultats théoriques et expérimentaux ont été analysés.
Un amplificateur entièrement co- intégré avec ce filtre destiné à l'utilisation dans un récepteur mobile (GSM), a été mis en application dans un processus standard de 0,35µm en technologie CMOS.
Les résultats de la simulation pour la conception de l'ensemble filtre-LNA avec un amplificateur utilisant quatre types d'inductances de coefficients qualité différents ont été présentés.
Ntagwirumugara Etienne Docteur en télécommunication(France).
Diplôme d''étude approfondie (DEA) en électronique (France) et Ingénieur en électromécanique (Burundi).
Professeur au KIST et Coordinateur du Rwanda Education and Research Network (RwEdNet).
Fiche technique
- Auteur
- Etienne Ntagwirumugara
- Langue
- Français
- Éditeur
- Éditions universitaires européennes
- Pays
Rwanda
Co-intégration d'un Filtre à Ondes de Surface avec un Amplificateur d'entrée de faible bruit sur Si pour Téléphone Mobile
L'étude présentée dans cette thèse porte sur l'analyse d'un filtre en échelle co-intégré avec un amplificateur faible bruit (LNA) en technologie CMOS dans une gamme de fréquence autour de 945-MHz.
L'étude théorique du filtre a été réalisée en utilisant en premier lieu la méthode des modes couplés mais aussi en appliquant le circuit équivalent RLC du résonateur.
Le filtre a été développé sur une structure constituée d'un film de ZnO et d'électrodes en aluminium (Al) sur un substrat de silicium (Si) avec une métallisation en Ti.
Ce filtre se compose de six résonateurs sur le même port.
Les résultats théoriques et expérimentaux ont été analysés.
Un amplificateur entièrement co- intégré avec ce filtre destiné à l'utilisation dans un récepteur mobile (GSM), a été mis en application dans un processus standard de 0,35µm en technologie CMOS.
Les résultats de la simulation pour la conception de l'ensemble filtre-LNA avec un amplificateur utilisant quatre types d'inductances de coefficients qualité différents ont été présentés.