Froid & Climatisation...
Ahmed Chikouche
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Physique à l’échelle atomique des couches minces
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-Matériaux Energétiques -Nano Cellules Solaires -Micro et Nanotechnologies -Intégration des Systèmes -Nano Fabrication
Ce travail porte sur l’optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique.
Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d’où la nécessité de la simulation à l’échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances.
Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d’atomes.La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l’ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si,structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l’interface SiO2/Si.
Docteur d'Etat Electronique/Toulouse.Directeur de Recherche UDES/Algérie.Auteur brevet,prix EUROPE2010,02livres,plus 80 articles,150 citations.Parain 13 Docteurs&Magisters.Enseignant Universités Toulouse et Algérie.Expert Elsevier,Tempus,Centre Aérospatial Germanie.Membre de comités scientifiques et direction internationaux.Recteur d'Université.
Fiche technique
- Auteur
- Ahmed Chikouche
- Langue
- Français
- Éditeur
- Éditions universitaires européennes
- Pays
Algérie
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Ce travail porte sur l’optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique.
Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d’où la nécessité de la simulation à l’échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances.
Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d’atomes.La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l’ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si,structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l’interface SiO2/Si.