Déposition de couche mince a-Si:H par procédé PECVD

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Simulation par la méthode de Monte Carlo, Calcul analytique des probabilités de la réactivité

Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir d'un mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma.

Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo.

Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis d'étudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat.

Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP).

Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface.

A nos connaissances, c'est le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités.

Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08.

Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels.

Nous avons présenté aussi un traitement de l'aspect fluide en résolvant l'équation de diffusion.

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