Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n

Les matériaux à haut désaccord d’électronégativité HMAs (High Mismatched Alloys), tels que III-V-N-Bi, présentent des propriétés électriques et optiques adaptées à la réalisation des dispositifs optoélectroniques.

Les quaternaires GaNAsBi dévoilent une bonne stabilité thermique de ces propriétés physiques lors de fonctionnement à température variable.

Actuellement, le développement technologique de techniques d’élaboration, telles que l’EJM et l’EPVOM, permet d’atteindre des compositions autour de 10% en Bi et ouvre la voie devant l’épitaxie d’une nouvelle génération des hétérostructures quantiques à base de GaAsBi, GaAsN et GaNAsBi.

Malgré la nature intrinsèque de ces structures quantiques, les études menées à présent montrent qu’elles peuvent être des candidates potentielles dans la fabrication des photodétecteurs ou émetteurs thermiquement stables et opérants dans les longueurs d’ondes 1,3 et 1,55 µm destinées aux télécommunications optiques.

Par comparaison aux travaux réalisés sur les matériaux III-V, il est vital que les choix du taux de dopage ainsi que la zone à doper dans une structure conçue pour une application donnée soient parmi les facteurs à optimiser.