Effet de l’illumination UV sur un transistor MOSFET à base de ZnO
Walid Boukhili
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Walid BoukhiliDocteur en physiqueLaboratoire de Physique des Matériaux : Structure et Propriétés, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanométriques, Faculté des Sciences de Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Université de Carthage, Tunisia.