Dopage au bore du silicium amorphe hydrogène déposé par pulvérisation
Nabil Khelifati
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Chercheur et doctorant au Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l’Energétique (CRTSE-Alger) depuis 2008.
Il est détenteur d’un magistère en physique des matériaux, obtenu à l’Université des Sciences et de la Technologie (USTHB).
Il présente dans ce document les résultats de ses recherches dans le domaine de dopage du silicium.