CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE

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CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE

La prise en compte de l’effet de la température et en particulier de l’auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe.

L’utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d’être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets.

Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable.

Un modèle dynamique décrivant l’auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé.

Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu’il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE.

Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en œuvre.

Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.

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