Transistor MOSFET nanométrique
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Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire du transistor à double-grilles DG MOSFET nanométrique
La diminution soutenue des dimensions du transistor accélère la rencontre de la microélectronique avec la mécanique quantique et d'autres lois régissent désormais le transport des électrons.
La simulation des composants microélectroniques a donc besoin de nouvelles théories et techniques de modélisation améliorant la compréhension physique des dispositifs de taille nanométrique.
Ce livre présente le principe des techniques évolutionnaires (GA, PSO,...) et leurs applications dans le domaine de la modélisation des composants nanoélectroniques.
Le manuscrit donne les bases nécessaires à la compréhension des GAs et l'optimisation par PSO.
Il présente l'état de l'art des travaux récemment publiés et les plus significatifs dans le domaine de la modélisation compacte du transistor à double-grilles et leurs limites de validité, et expose ensuite l'approche de la modélisation numérique du DG MOSFET aux dimensions ultimes basée sur le formalisme des fonctions de Green hors-équilibre (NEGF).
Finalement, des nouveaux modèles analytiques optimisés qui permettent d'étudier le comportement du transistor DG MOSFET nanométrique sont développés en utilisant les techniques évolutionnaires.
Fayçal DJEFFAL et Toufik BENDIB sont des enseignants chercheurs et membres du laboratoire "L.E.A" de l''Université de Batna (Algérie).
Les recherches de thèse de Bendib, sous la direction de Dr.
Fayçal DJEFFAL, se situent dans le champ de la nanoélectronique.
Ces travaux se focalisent sur l''étude et la modélisation des dispositifs nanoélectroniques.
Fiche technique
- Auteur
- Djeffal Fayçal
- Langue
- Français
- Éditeur
- Éditions universitaires européennes
- Pays
Algérie
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