Modélisation du transistor MOSFET nanométrique

Application à l'étude et la modélisation du transistor VSG MOSFET nanométrique

La voie de l’intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors.

A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l’intégration.

Les transistors multi grille peuvent être potentiellement considérés comme une solution à ce problème.

Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l’évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques.

Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high-К), modélisée analytiquement en régime de sous seuil.

La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s’appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l’aide du progiciel ATLAS.